昨天差评君在网上冲浪的时候，看到这样一条重磅新闻：
好家伙，一个是全球半导体行业老大哥，一个是中国存储芯片领域黑马，我相信很多人肯定都好奇，它俩咋突然搞在一起了，要知道，长江存储人送外号“价格屠夫”，一度让硬盘价格断崖式下跌。
难不成存储行业马上要变天，固态硬盘真要变成“白菜价”？
各位正打算扩容或者装机的差友先别激动，虽然目前它俩还没有通过官方渠道表态，而且国内所有新闻来源，基本上都是来自一个定位和The Verge类似的韩媒ZDNet。
但我这两天仔细研究了一下，发现这件事儿即使现在不是真的，过几年也很有可能成真——因为估计三星自己都没想到，之前它居然给自己挖了个大坑，现在只能硬着头皮跳进去……
而这故事呢，得从三星疯狂“盖楼”开始说起。
很多差友应该都知道啊，你手机里存了好几年的初恋合照，微信里舍不得删的聊天记录，甚至从Steam上下的各种3A大作，能安稳保存到今天，基本全靠指甲盖大小的NAND闪存芯片。
这种NAND闪存芯片一般被广泛应用于固态硬盘，作为数据存储的核心部件，包括咱们手机上用的也是这种，很显然，咱们对存储的需求肯定是容量越大越好，要是价格能再便宜些就更好。
而过去二十多年，芯片厂商为了突破“容量-成本”的物理极限，捣鼓出了两条主流技术路线。
一种是在一个平层里塞进更多数据，这也是咱们买固态硬盘经常会看到的SLC、MLC、TLC还有QLC，从SLC到QLC，它们的成本依次降低，但与此同时使用寿命和读写速度也会跟着下降。
就好比一座房子，SLC是一个房间只住个1人，读写速度快、寿命也长，但就是造价太高，MLC则是一间房住2人，读写性能和成本都处于中间水平，而TLC和QLC则是分别住3和4人。
前几年通过TLC和QLC技术的应用，硬盘性价比有过一段时间的持续提高，但是目前来看四层单元的QLC已经快到头了，原因一个是边界效应越来越明显，另一个是数据的稳定性不断下降。
举个例子，从TLC升级到QLC，容量可以提升30%，但从QLC进一步升级到PLC，容量就只能提升25%，而且QLC还能保证单单元1000次的反复读写，但到PLC据说就只能保证几十次。
就在平层技术快撞到“天花板”的时候，另一种技术就开始派上用场——3D NAND。
这技术说起来也不难理解，就好比原先是一座平房，房间数撑死也就这些，能容纳的人数也就是数据有限，但现在不局限于在平地折腾了，而是往上不断盖楼，盖的楼越多，容量照样能上来。
而作为存储界的“扛把子”，三星早在2013年，就正式宣布推出已经量产的24层堆栈TLC V-NAND闪存（这里的V代表Vertical，垂直的意思），正式开启了闪存芯片的“堆叠战”。
在过去十年，三星更是把闪存芯片叠成了“赛博高楼”，直接一路从32层盖到了280层。
作为对比，当年三星把闪存芯片盖到176层，层数超过迪拜塔的时候，部分友商还在努力突破128层，而它计划于今年下半年开始大规模生产的第十代V-NAND，层数据说会到420-430层。
之所以三星能盖这么快，除了这些年不断迭代的堆叠技术，它的盖楼绝活——CoP技术其实也功不可没。
这项技术简单说就是把控制电路和存储单元叠在同一块晶圆上，就像咱们盖房子，得先打地基（底层控制电路），再往上盖楼（堆叠存储单元），控制电路像地基一样垫在存储单元下面。
之前三星凭借这项技术，每年都能实现层数的稳步增长，但是今年他们要挑战430层的时候，却发现自家祖传的CoP技术遇到了瓶颈——那就是这个“地基”，快被存储单元“压塌”了。
换句话说，随着叠加的楼层不断增高，底层控制电路承受的压力也越来越大，信号延迟、发热问题会严重影响闪存的性能和可靠性，要是再严重点，可能楼还没封顶，它这地基自己就先塌了。
芯片出厂就是残废，或者没用多久就炸盘，就问这你受得了么？更何况时间不等人，在三星被430层卡住脖子的时候，友商SK海力士也在奋起直追，据说今年也要量产400层以上的闪存芯片。
这对存储业务本来就面临技术瓶颈与市场竞争双重压力的三星来说，绝对算得上是雪上加霜。
说到这里我就不得不感慨一句，苍天饶过谁，谁能想到曾经一路开挂，把闪存层数叠得飞起，将其他对手甩在身后的三星，有朝一日也会被自家技术卡脖子……
而三星之所以选择这个时候跟长江存储合作，大概率就是看中了长江存储的“Xtacking”混合键合专利技术。
和其它厂商喜欢把控制单元和存储单元设计在一颗晶圆上，然后再投入生产的方式不同，长江存储的Xtacking走的是另外一种道路——把存储单元和控制电路分开制造，然后再拼接到一起。
这技术说白了，其实就是把芯片当乐高积木拼。
具体点说就是先在一块晶圆上制造存储单元，然后在另一块晶圆上制造控制电路，最后再把两块晶圆通过数百万根垂直通道直接键合，而且中间不用加任何“胶水”（比如传统封装用的凸点）。
这么做的好处有很多，比如数据传输距离缩短、散热效率飙升，而且还能叠加更多存储单元。
甚至借助这项技术，制造存储单元和控制电路的工艺可以实现各自优化——存储单元用成熟工艺保障稳定性，控制电路用先进工艺提升读写速度，在提升生产效率的同时，还能降低成本。
按照长江存储自己的说法，Xtacking能将产品开发时间缩短至少3个月，并将生产周期缩短20%，恐怖如斯。
而且长江存储早在2018年，就把涉及到Xtacking技术一系列相关专利，注册成了自家“护城河”，放眼全球，除了长江存储，也就台积电和美国Xperi掌握了混合键合技术的大多数专利。
这也意味着，三星如果想继续搞400多层的闪存芯片，技术路线上几乎全是这些对手埋的雷。
欸，这里就有一个前车之鉴——前一阵，长江存储就向美光提起了诉讼，诉讼理由就是美光在自家3D堆叠的闪存设计上，侵犯了长江存储的专利。
我估摸着三星自己也琢磨过，与其到时候法庭上见，最后落得个赔钱或者全球禁售的下场，不如直接找长江存储合作拿专利许可，顺便还能在国内市场刷波好感度，可能还能让自家的产品销量好一些。
该说不说三星的这波操作，属实是把商战给玩明白了……而且据说SK海力士也在和长江存储商量专利协议的事儿，这事儿要是真的，那三星也算是先下手为强了。
说了这么多，我相信各位差友都想知道这跟咱们有啥关系，我尝试着翻遍了各大门户网站，虽然没能找到三星跟长江存储这次合作的具体细节，但是咱们在这里还是可以尝试着推导一下。
假如，三星这次是直接掏钱找长江存储花钱买的专利授权，那么三星没准会将购买专利的成本部分转嫁到产品价格上，短期内存储产品价格可能不会有明显下降，甚至可能还会小幅度上涨。
但别忘了，市场上还有这么多竞争对手在虎视眈眈，随着制造技术成熟和规模效应，生产成本降低后，存储产品价格势必会迎来下降，到时候咱们就能花更少的钱，买到性能更强的固态硬盘。
而对长江存储来说，在拿到这笔钱后，研发投入会更充足，从而加快自家技术迭代的速度，进一步巩固自身优势的同时，说不定还能借助跟三星合作的影响力，在国际市场开拓出更大的份额。
但要是三星跟长江存储谈的是各自专利的交叉授权，那么双方技术融合，很可能会催生更多创新的技术和产品。
这对咱们消费者来说，也是件好事，说不定过不了多久，手机容量轻轻松松就能突破1TB，升级到1.5T甚至2T，以后咱们再也不用担心手机数据被塞爆了……
对没错，微信，说的就是你！
该说不说科技圈没有绝对的对手，只有永恒的利益，昨天厂商跟厂商之间还剑拔弩张，改天就能握手言和，而长江存储从最开始的艰难起步，到海外巨头亲自上门要授权，真就应了那句——
“三十年河东，三十年河西，莫欺少年穷”。
总之，对我们来说，做个“等等党”永远不亏好吧。
来源：
长江存储官网、TechInsights3D_NAND_Current_Future_and_Beyond.pdf https://zdnet.co.kr/view/?no=20250222235514 https://zdnet.co.kr/view/?no=20250213202429#_DYAD
IT之家，消息称三星与长江存储重磅合作，V10 NAND将使用中国企业专利长江存储Xtacking 3.0，率先到200+层这家中国公司现在是3D NAND Flash的领导者
Cornell University-Glitch in Time:Exploiting Temporal Misalignment of IMU For Eavesdropping
