由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅-源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式自偏压电路。
1．自偏压电路
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(a) | (b) |
图 1 |
图1(a)所示电路是一个自偏压电路，其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R 接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻R上产生的电压为栅-源极间提供一个偏置电压VGS，故称为自偏压电路。静态时，源极电位VS=IDR。由于栅极电流为零，Rg上没有电压降，栅极电位VG=0，所以栅源偏置电压VGS= VG–VS= –IDR 。耗尽型MOS管也可采用这种形式的偏置电路。
图1(b)所示电路是自偏压电路的特例，其中VGS=0。显然，这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，因为在栅源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作。
增强型MOS管只有在栅-源电压达到其开启电压VT时，才有漏极电流ID产生，因此这类管子不能用于图1所示的自偏压电路中。
2．分压式偏置电路
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图 2 |
分压式偏置电路是在自偏压电路的基础上加接分压电路后构成的，如图2所示。静态时，由于栅极电流为零，Rg3上没有电压降，所以栅极电位由Rg2与Rg1对电源VDD分压得到，即 。源极电位VS=IDR，因此栅源直流偏置电压 。
这种偏置方式同样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管组成的放大电路。
