晶体管放大作用必须满足的条件:内部条件: 晶体管结构上的特点外部条件: 晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。P区接正,N区接负; N区接正,P区接负。 （一）晶体管内部载流子的运动1.发射区向基区注入电子的过程载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn.2.电子在基区的扩散过程注入的电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成iB，绝大部分扩散到集电结边界。3.电子被集电级收集的过程电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn. 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成ICBO。
